Vol. 3 No. 1 (2026), Articles
Vol. 3 No. 1 (2026)

РАДИАЦИОННО-ИНДУЦИРОВАННАЯ ЭВОЛЮЦИЯ ТРАНСПОРТНЫХ МЕХАНИЗМОВ И ЗОННОЙ СТРУКТУРЫ В МНОГОСЛОЙНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ Cu₂O/CuO/ZnO/КВАРЦ

Articles
Published 2026-04-25
Арзикулов Ф Ф
Самостоятельный соискатель Ташкентского государственного технического университета имени Ислама Каримова, Ассистент кафедры биомедицинской инженерии, информатики и биофизики Ташкентского государственного медицинского университета.
Мустафакулов А. А.
кандидат физико-математических наук.Джизакского политехнического института
Кучканов Ш. К.
доцент Ташкентского государственного технического университета, кандидат технических наук.
Б.Д. Игамов
Научно-технический центр с конструкторским бюро и опытно-промышленным производством, Академия наук Республики Узбекистан;
И.О.Косимов
Институт биоорганической химии им. О.С. Содикова, Академия наук Республики Узбекистан, 100143, Ташкент, Узбекистан;

Abstract

        

PDF

References

Fleetwood D.M. Radiation effects in microelectronics. IEEE Transactions on Nuclear Science.

[2] Srour J.R., Palko J.W. Displacement damage effects in irradiated semiconductor devices. IEEE Transactions on Nuclear Science.

[3] Electronic Processes in Non-Crystalline Materials. Oxford University Press.

[4] Physics of Semiconductor Devices. Wiley.

[5] Özgür Ü. et al. A comprehensive review of ZnO materials and devices. Journal of Applied Physics.

[6] Yu Q. et al. Optical-electrical properties of ZnO/Cu₂O(CuO) heterojunctions. Physica B, 2024. DOI:10.1016/j.physb.2024.416253.

[7] Simmons J.G. Barrier transport and tunneling mechanisms. Physical Review.

[8] Thin Solid Films: Radiation stability of quartz-supported oxide films.